半導体製造

2010年8月25日 (水)

セマテックと次世代フォトマスクの洗浄プロセス技術を共同開発

~EUVフォトマスクおよびNILテンプレートの生産性向上を目指す~

大日本印刷株式会社

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2010年8月24日 (火)

次世代SiCパワー半導体を用いたエアコンを発売

三菱電機株式会社

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2010年8月12日 (木)

レックスチップが40nmプロセス2GビットDDR3の試作に成功

エルピーダメモリ株式会社

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2010年8月 3日 (火)

イビデン、ICパッケージ基板生産の第2工場棟を建設

イビデン株式会社

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2010年7月30日 (金)

紫外域に感度を有する窒化ガリウムの透過型光電面を実用化

~現行の光電面に比べ量子効率(感度)が約3倍 
紫外イメージインテンシファイアに採用し、来春にも製品化~
浜松ホトニクス株式会社

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2010年7月28日 (水)

自動車用エンジンコントロールユニットの納品量回復

株式会社日立製作所/日立オートモティブシステムズ株式会社

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2010年7月23日 (金)

米Advanced Energy Industries社よりマスフローコントローラ事業を買収

日立金属株式会社

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2010年7月21日 (水)

東北大学とソニー、100W出力の青紫色超短パルス半導体レーザを共同開発

~次世代大容量光ディスク記録・ナノ加工用光源の実用化に道~
東北大学
ソニー株式会社

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2010年7月16日 (金)

オン・セミコンダクターと三洋電機が半導体事業の戦略的売買で合意

オン・セミコンダクター・コーポレーション
三洋電機株式会社

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2010年7月15日 (木)

TI、日本で製造関連の資産を取得しアナログICの生産能力を拡大

日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

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2010年7月14日 (水)

半導体製造装置の年央市場予測を発表

~2010年の半導体製造装置販売額は325億米ドルの見込み~

SEMI

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消費電力を85%削減したUSB3.0対応ホスト・コントローラLSIを発売

~低消費電力かつ廉価版製品の投入によりUSB3.0の普及を加速~

ルネサス エレクトロニクス株式会社

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2010年7月12日 (月)

磁場印加で絶縁体から金属へ相転移するミクロなメカニズムを解明

~相転移現象を利用した新原理のスイッチング素子やメモリの実現に期待~
独立行政法人 理化学研究所

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2010年6月28日 (月)

自動車電子制御ユニットの小型化に貢献できる8ピンHSONパッケージ製品を発売

~従来パッケージの約1/2の面積で最大75アンペアまで通電可能~

ルネサス エレクトロニクス株式会社

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2010年6月25日 (金)

強誘電体を用いた新構造のメモリスタを開発

~界面伝導による10万倍の抵抗値変化を記憶~
パナソニック株式会社

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2010年6月24日 (木)

2GビットGDDR5の開発に成功

~エルピーダプロセスでグラフィックスビジネスに本格参入~

エルピーダメモリ株式会社

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2010年6月22日 (火)

微細化によるデバイス特性ばらつき増大の影響を低減するSRAM回路技術を開発

~40nm世代で世界最高レベルの集積度を実現した大容量SRAMの動作を確認~
ルネサス エレクトロニクス株式会社

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2010年6月15日 (火)

立体構造トランジスタを用いた16nm世代以降のLSI高性能化技術を開発

~寄生抵抗低減により、オン電流を従来比75%向上~
株式会社 東芝

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2010年6月 8日 (火)

WSTS 2010年春季半導体市場予測について

WSTS日本協議会

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2010年6月 7日 (月)

次世代半導体銅配線技術向けルテニウムに関する共同評価に合意

東京エレクトロン株式会社
株式会社荏原製作所

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2010年5月27日 (木)

半導体パッケージ基板用モジュラ型ステッパを発売

ウシオ電機株式会社

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2010年5月25日 (火)

半導体・液晶パネル材料ガスの処理装置事業を強化

昭和電工株式会社

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パナソニック電工、半導体パッケージ基板材料のグローバル展開を強化

パナソニック電工株式会社

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2010年5月19日 (水)

ウエハ直接接合技術において、京セラキンセキと東北大学が共同開発

~原子拡散接合法の水晶デバイスへの応用に成功し、広帯域対応水晶光デバイスなど開発のための新技術確立~

京セラキンセキ株式会社

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半導体洗浄装置の主要3分野で世界トップシェアを獲得

大日本スクリーン製造

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2010年5月14日 (金)

世界最小クラスの2GビットDDR Mobile RAMを開発

~前世代の50nmプロセス品に比べ動作電流を30%削減~

エルピーダメモリ株式会社

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2010年第1四半期のシリコンウエハ出荷面積は増加

SEMI

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2010年5月 6日 (木)

米国の半導体製造装置用金属部品メーカーの事業を買収

日本ガイシ株式会社

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2010年4月27日 (火)

新構造デバイスにより青紫色半導体レーザを出荷開始

ルネサス エレクトロニクス株式会社

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2010年4月26日 (月)

BGA構造のリチウムイオン電池充放電保護回路用MOSFETの開発

三洋半導体株式会社

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ウシオ電機、EUV事業譲受でフィリップスと基本合意

―EUV光源の開発・生産本格化へ―
ウシオ電機株式会社

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塩の粒子1個に1000枚の世界地図が置ける3次元地図を作製

~低コストで使い勝手のよいナノスケール物体の作製が可能~

IBMコーポレーション

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2010年4月23日 (金)

インフィニオン社とパワーMOSFETのパッケージ共通化で合意

フェアチャイルドセミコンダクター

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2010年4月21日 (水)

台湾に先端フォトマスクの製造拠点を開設

―海外供給体制を強化―
大日本印刷株式会社

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2010年4月20日 (火)

世界最高クラスの輝度の半導体レーザを製品化

オプトエナジー株式会社

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らせん形状のシリコンマイクロチューブの作製に成功

東北大学

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2010年3月31日 (水)

多賀事業所、生産活動を一部再開

~半導体製造装置の市場環境に好転の兆し~

大日本スクリーン製造株式会社

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2010年3月26日 (金)

中国でTFT-LCD用大型ガラス基板の生産拠点を新設

旭硝子株式会社

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2010年3月24日 (水)

Camtek社製ウエハ外観検査装置の国内独占販売権を取得

キヤノンマーケティングジャパン株式会社

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2010年3月19日 (金)

新方式のタッチパネル・コントローラICの販売代理店契約を締結

~5ポイント、10ポイントのマルチタッチが可能な最先端機器に最適なIC~ 

株式会社日立ハイテクノロジーズ

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2010年3月17日 (水)

昭和電工、アルミニウム事業部門『冷却器事業開発部』を新設

昭和電工株式会社

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USB3.0対応ホスト・コントローラを増産

~約半年で累計300万個を出荷しUSB3.0普及に貢献~
NECエレクトロニクス株式会社

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2010年3月16日 (火)

4チャンネル・アナログ入力の車載向けカメラインターフェースIC

~『S2D13P04』のサンプル出荷を開始~

セイコーエプソン株式会社

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2010年3月15日 (月)

生産設備会社を統合

富士電機ホールディングス株式会社

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2010年3月11日 (木)

2009年世界半導体製造装置販売額は159億2千万ドル

SEMI

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2010年3月 9日 (火)

高画質、高機能対応の カメラシステム向けシステムLSI「R8A30930BA」を製品化

~DSCや監視カメラ等のカメラシステム大半を1チップ化~

株式会社ルネサス テクノロジ

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2010年3月 2日 (火)

京セラ、太陽電池セルの生産計画と販売体制の強化

~2012年度1GW生産と世界市場へのさらなる展開~
京セラ株式会社

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2010年3月 1日 (月)

低価格な薄型非接触ICカードを開発

~1枚50円、厚さ0.28mmの薄型カードで、新たなICカードサービスの需要喚起に~

大日本印刷株式会社

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2010年2月23日 (火)

1.1Vで動作する4ビットマイコンを量産開始

~ボタン電池1個での長寿命化を実現~

セイコーエプソン株式会社

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2010年2月22日 (月)

有機トランジスタ内でキャリアの動きを妨げる原因を特定する方法を開発

-印刷技術により電子ペーパーなどを製造する研究開発を加速-
独立行政法人 産業技術総合研究所

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2010年2月17日 (水)

既存の通信方式で従来比3倍の高速化を実現する高速通信インタフェースの基本回路技術を開発

~毎秒16ギガビットのデータ伝送を実証~

日本電気株式会社
NECエレクトロニクス株式会社

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2010年2月15日 (月)

光リソグラフィの限界性能を引き出すマスクパターン最適化技術を開発

~精度20%向上、液浸ArFエキシマレーザー露光装置の延命へ~

株式会社 東芝
独立行政法人 産業技術総合研究所

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2010年2月12日 (金)

2009年世界のシリコンウエハ出荷面積は67億700万平方インチ

~シリコンウエハ出荷面積前年比18%減少、販売額も前年比41%減少~

SEMIジャパン

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2010年2月10日 (水)

レーザソー累計販売台数200台突破

~LED向けが好調~

株式会社ディスコ

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中国における半導体後工程合弁事業会社を設立

株式会社東芝

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2010年2月 8日 (月)

次世代情報家電向けヘテロジニアスマルチコアLSIを開発

~業界最高レベルの電力性能比37GOPS/Wを実現~

株式会社ルネサス テクノロジ/株式会社日立製作所/学校法人早稲田大学/国立大学法人東京工業大学

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2010年1月28日 (木)

半導体設計の『設計バリューチェーン改革サービス』の提供を開始

株式会社日立製作所

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2010年1月22日 (金)

宮城新工場の建設計画を再開

東京エレクトロン株式会社

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2010年1月21日 (木)

台湾企業からサブストレート基板向け検査装置などの受注が好調

株式会社トプコン

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2010年1月14日 (木)

次世代高密度半導体パッケージの開発を支援

シリコン貫通電極のDNP標準デザイン評価用基板を販売開始

大日本印刷株式会社

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2010年1月13日 (水)

【インタビュー】特許技術の優位性で半導体市場へ参入

ミナミ株式会社

独自開発のスクリーン印刷機を応用し、ウエハレベルCSPへのはんだバンピングを可能としたミナミ(株)。多数の特許技術により、プリント基板用のスクリーン印刷機で国内約1/4のシェアを誇る。建設業界出身という異色の経歴をもつ村上武彦代表取締役に、同社のユニークな歴史とその強みを伺った。

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2010年1月 6日 (水)

低ESL コンデンサ、薄さ0.3mmで1μF を実現

~LW逆転タイプ積層セラミックコンデンサ、同社従来品から40%の低背化~

太陽誘電株式会社

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2010年1月 5日 (火)

新しいタブレット設計を搭載した第2世代スマートブック・フォーム・ファクタを開発

~スマートフォンとノートブックPCの両者の特長を組み合わせて、性能、携帯性およびバッテリ寿命の理想的なバランスを実現する新ソリューション~

フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン株式会社

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2009年12月25日 (金)

キヤノンとキヤノンMJ、半導体機器事業譲渡で最終合意

キヤノン株式会社
キヤノンマーケティングジャパン株式会社

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2009年12月18日 (金)

低消費電力CMOSで超高速動作を実現する低抵抗銅配線技術を開発

局所厚膜化銅配線技術により配線抵抗を半減

NECエレクトロニクス株式会社

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2009年12月17日 (木)

SEMI、2009年第3四半期世界半導体製造装置統計を発表

~出荷額は45億4,000万ドル~

SEMIジャパン

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65nm XS版1GビットDDR3 SDRAMの開発完了

~ArFドライ露光装置で50nmプロセス(ArF液浸)同等のコスト競争力を実現~

エルピーダメモリ株式会社

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スペイン・大規模発電施設で京セラ製太陽電池約40MWが稼動開始

~多結晶シリコン型太陽電池モジュール約19万枚を供給~

京セラ株式会社

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2009年12月15日 (火)

NECエレとルネサスの合併契約締結

NECエレクトロニクス株式会社/株式会社ルネサス テクノロジ

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2009年12月 8日 (火)

世界最高水準の表面平滑性をもったパワー半導体用SiCエピタキシャルウェハの量産に成功

-電気自動車等エコカー搭載用次世代インバータ実現に大きく寄与-
昭和電工株式会社

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次世代半導体の基本技術を開発

~高速・低消費電力・不揮発の次世代半導体(スピンMOSトランジスタ)~
株式会社東芝

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2009年12月 3日 (木)

メガワット級の風力発電・太陽光発電システム向けに定格電流容量を拡大したIGBTモジュールを発売

三菱電機株式会社

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2009年12月 1日 (火)

サブミクロン金粒子によるパワーデバイス素子接合材料を開発

~ウエハレベルでもメタル-メタル接合が可能、300℃でも30MPa の高温接合強度を実現~

田中貴金属工業株式会社

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2009年11月 5日 (木)

電子デバイス工場の装置レイアウト変更に対応可能な構造システムを開発

鹿島建設株式会社

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2009年10月26日 (月)

Serial RapidIO Gen2開発プログラムを発表

~テキサス・インスツルメンツ社がIDTのSerial RapidIO Gen2 IPを無線インフラ用DSPに採用~

IDT

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2009年10月20日 (火)

日本電産、タイ現地法人(子会社)を設立

日本電産リード株式会社

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2009年10月15日 (木)

エルピーダ、2010年3月期第2四半期決算黒字化へ

エルピーダメモリ株式会社

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2009年10月13日 (火)

ロボット搭載が可能な大気圧プラズマクリーニング装置を発売

パナソニック電工株式会社

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2009年10月 9日 (金)

エルピーダの子会社が黒字転換へ

~生産量増加や生産性の最適化によるRexchip、テラプローブの黒字化~

エルピーダメモリ株式会社

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2009年10月 8日 (木)

40nmプロセス2GビットDDR3 SDRAM開発完了

~当社50nm品に比べ消費電流を2/3に削減~

エルピーダメモリ株式会社

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2009年9月28日 (月)

2GビットDDR2 Mobile RAMを開発

~低電圧1.2Vで800Mbps動作、待機時消費電力はDDR2比1/16~

エルピーダメモリ株式会社

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2009年9月24日 (木)

金属などの延性材料や樹脂、それらの複合材を高精度に平坦化する300㎜ウエハ対応サーフェースプレーナを開発

株式会社ディスコ

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2009年9月16日 (水)

NECエレとルネサスの統合基本契約を締結

NECエレクトロニクス株式会社/株式会社ルネサス テクノロジ/日本電気株式会社/株式会社日立製作所/三菱電機株式会社

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2009年8月31日 (月)

シャープ、亀山工場の生産設備を中国企業に売却

シャープ株式会社

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2009年8月27日 (木)

28nm世代での製造及び開発で協力

富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
台湾セミコンダクター・マニュファクチャリング・カンパニー

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Cu-TSVによる積層8GビットDRAMの開発に成功

~1GビットDDR3 SDRAMを8枚積層したCu-TSV(Si貫通電極) DRAM~

エルピーダメモリ株式会社

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2009年8月26日 (水)

NECエレとルネサスの統合基本契約締結に向けた協議について

NECエレクトロニクス株式会社/株式会社ルネサス テクノロジ/日本電気株式会社/株式会社日立製作所/三菱電機株式会社

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【インタビュー】3次元LSI技術で高密度を実現

株式会社ザイキューブ

 LSIは2次元技術では微細化に対応するには限界がきているとされるなか、LSIの3次元技術に着手しているのが2002年3月に設立された(株)ザイキューブである。
 東北大学大学院小柳光正教授の技術理論をベースにしたもので、カメラ付き携帯電話、デジタルカメラ、監視カメラ、車のセンサへの利用、さらにはメモリとして利用すれば容量100GBの大容量USBメモリの製品化も可能という。大学発ベンチャーとして躍進する同社、盆子原學代表取締社長に事業展開などを聞いた。

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2009年8月25日 (火)

ステッピングモータ駆動用ハイブリッドICを開発

~充実した保護機能と、異常検知の種類を判別する端子を搭載~

三洋半導体株式会社

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次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構を設立

三菱電機株式会社/富士電機アドバンストテクノロジー株式会社/株式会社日立製作所/株式会社東芝/昭和電工株式会社/日産自動車株式会社/新日本製鐵株式会社/サンケン電気株式会社/財団法人新機能素子研究開発協会

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2009年8月17日 (月)

プリンタブルエレクトロニクス関連市場の調査結果を発表

~2013年印刷方式によるアプリケーション(電子デバイス)8品目市場は5,363億円~
株式会社富士経済

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2009年8月12日 (水)

耐圧25Vのスイッチング用パワーMOSFET3品種を発売

~大型DirectFETパッケージ採用、オン抵抗(内部抵抗)を0.5mΩに低減~

インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン株式会社

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2009年8月11日 (火)

24時間連続でのリアルタイム録画が可能なドライブレコーダ専用ICを開発

~事故の瞬間を確実に記録するドライブレコーダ専用IC『S2S65A30』~

セイコーエプソン株式会社

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2009年8月 6日 (木)

GDDR技術を使用するグラフィックDRAM事業に参入

~キマンダのGDDRに関するライセンスを取得し、新規開設のミュンヘンデザインセンターにて事業を開始~

エルピーダメモリ株式会社

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2009年8月 5日 (水)

ルテニウムのリサイクルプロセス共同開発契約を締結

~次世代配線技術の早期実現に向けて~

東京エレクトロン株式会社/田中貴金属工業株式会社

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2009年8月 3日 (月)

半導体工場向け搬送システム事業などで新会社を設立

村田機械株式会社

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【インタビュー】システムLSI設計を中心に開発支援

─ 大学教授、若手教員、大学院生、企業家の力を融合 ─
株式会社シンセシス

  産学官連携が話題になり始めた1998年に産学連携の企業を設立。大学発ベンチャーの先駆けとして試行錯誤しながら大学教授、大学院生への企業 参加を進めてきた、株式会社シンセシス顧問 植垣 俊幸 氏、第一技術部 部長 奥畑 宏之 氏に技術、ベンチャー企業としての苦労と抱負を伺った。

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2009年7月31日 (金)

スピントロニクス材料開発シミュレーション法を確立

~室温強磁性半導体の実現に向けて~
東北大学

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2009年7月28日 (火)

NECエレとルネサスの統合基本契約締結に向けた協議について

NECエレクトロニクス株式会社/株式会社ルネサス テクノロジ/日本電気株式会社/株式会社日立製作所/三菱電機株式会社

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2009年7月21日 (火)

高機能フィルム用基材フィルム等の世界市場を調査

株式会社富士経済

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2009年7月 2日 (木)

太陽電池セルの欠陥検出ソフトを発売

オムロン株式会社

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モレキュラーインプリント社とナノインプリント技術の実用化で提携

~22nm以降の半導体製造での実用化へ向けてテンプレートの複製技術開発を加速~

大日本印刷株式会社

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2009年6月30日 (火)

エルピーダメモリ事業再構築計画の認定取得

~産業活力の再生及び産業活動の革新に関する特別措置法の認定取得~

エルピーダメモリ株式会社

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2009年6月23日 (火)

グラフェンをサファイア基板上に作製する技術を開発

~シリコンの10倍以上速い電子移動度が期待されるグラフェンにより将来の高速電子デバイスの量産プロセス実現に貢献~

株式会社日立製作所

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2009年6月22日 (月)

SiPトップダウン(予測型)設計環境を開発

~SiP設計期間に大きく影響する信号品質確保や放熱対策用の検証等を、設計初期段階から実施可能なため、設計品質向上と設計期間半減を共に実現~

株式会社ルネサス テクノロジ

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SolarMagicパワー・オプティマイザを日本で発売

~SolarMagicパワー・オプティマイザにより太陽光発電システムの施工設計の自由度が向上、より多くの日本の住宅で導入が可能に~

ナショナル セミコンダクターコーポレーション

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2009年6月21日 (日)

【インタビュー】あらゆる検査ニーズに対応して良品製造へ貢献

株式会社アークテック

 破壊検査から非破壊検査まであらゆる検査ニーズに対応している株式会社アークテック。単に不良の検出だけでなく、良品開発のための評価用としても歩留りの良い製品の製造に貢献している。
 最新のサブミクロンフォーカスX線検査装置と現在の検査市場についての話を伺った。

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2009年6月18日 (木)

NECエレクトロニクスと東芝、IBMとの半導体技術開発の提携を拡大

~IBMのテクノロジー・アライアンスの28nm低消費電力プロセス技術開発プログラムに参加~

IBMコーポレーション/NECエレクトロニクス株式会社/株式会社 東芝

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2009年6月17日 (水)

nmのSi結晶欠陥がLSI待機時の消費電力に与える影響を解明

日本電気株式会社/NECエレクトロニクス株式会社

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先端LSIの信頼性を維持するプログラマブル故障予知技術を開発

~自動車、医療、ロボットなど、人と密接に関わるシステム実現のキー技術~

日本電気株式会社/NECエレクトロニクス株式会社

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2009年6月16日 (火)

【写真入り速報】国内最大級の太陽電池モジュール測定ラボを本格稼動

テュフ ラインランド ジャパン株式会社

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超微細トランジスタでしきい値電圧ばらつきの影響を確認

~しきい値電圧が平均値の10倍以上の幅でばらつくトランジスタが0.1%の確率で存在することを明らかに~

株式会社日立製作所

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2009年6月11日 (木)

液晶用塗布現像装置において世界シェア73%を獲得

大日本スクリーン製造株式会社

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2009年6月 4日 (木)

平成20年度第4四半期/年度値の太陽電池出荷量を発表

太陽光発電協会

太陽光発電協会(JPEA)は、平成20年度第4四半期/年度値の太陽電池セル・モジュールの出荷量を発表した。

http://www.jpea.gr.jp/

2009年6月 3日 (水)

WSTS 2009年春季半導体市場予測について

WSTS日本協議会

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2009年6月 2日 (火)

0.075mm角の粉末状ICチップのハンドリング技術を開発

~細胞捕捉技術を応用しチップを1個ずつ基板上に配置することが可能に~

株式会社日立製作所

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2009年5月28日 (木)

無機酸化物を用いた薄膜エレクトロルミネセンス素子を開発

独立行政法人 産業技術総合研究所

チタン酸バリウム(BaTiO3)等に代表されるペロブスカイト型の無機酸化物を用いて薄膜EL素子を開発。

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2009/pr20090528/pr20090528.html

通信ネットワーク機器の大容量/高速化と鉛フリーはんだに対応する多層プリント配線板用材料を発売

パナソニック電工株式会社

パナソニック電工株式会社は、ミドルレンジのサーバやルータなどの通信ネットワーク機器における信号の大容量/高速伝送に適し、鉛フリーはんだにも対応する多層プリント配線板用材料の開発に成功し、2009年6月20日に世界同時発売を行う。

http://panasonic-denko.co.jp/corp/news/0905/0905-17.htm

SoC並みの高集積化と高速動作を実現するシステムインパッケージ技術を開発

NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社は、オンチップ配線に匹敵する微細インターポーザー配線によりチップ間接続を実現できる、システム・イン・パッケージ(SiP)技術を開発した。また、東京工業大学と共同で本インターポーザー配線の伝送特性を実測し、10GHz以上の高速伝送性能が得られることを確認した。本技術を適用することにより、ロボットや自動車走行支援システムなどにおける高度な認識・判断処理や、ゲームなどの高速三次元グラフィックス処理など、メモリ/ロジック間の高速伝送が要求される分野において、従来にない高速信号処理を、小型・低消費電力・低コストで実現できるようになる。

http://www.necel.com/news/ja/archive/0905/2801.html#1

半導体パッケージの小型化・低コストを実現する次世代リードフレームを開発

大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社は、半導体パッケージの小型化と低コストが可能な、最先端の微細加工を施した次世代リードフレームを開発した。

http://www.dnp.co.jp/jis/news/2009/090528.html

2009年5月22日 (金)

HIT太陽電池セルで変換効率23%を達成

三洋電機株式会社

三洋電機株式会社は、HIT太陽電池において、実用サイズの結晶シリコン系太陽電池セルの変換効率23%を研究レベルで達成した。今後は、2~3年後の量産を目指していく。

http://jp.sanyo.com/news/2009/05/22-1.html

2009年5月21日 (木)

九州事業所内に「テストセンター」を開設

株式会社テラプローブ

株式会社テラプローブは、2009年7月より九州事業所内に、各半導体テスト分野の先端設備を揃え、デバイス開発・評価環境を整えた『テストセンター』を開設し、あらゆる半導体デバイスに対応する総合的なテスト環境を提供する。

http://www.teraprobe.com/

2009年5月 8日 (金)

英ARM社、汎用的な40nmフィジカルIPプラットフォームを発表

英ARM社・英ARM社、汎用的な40nmフィジカルIPプラットフォームを発表 TSMC40nm Gファウンドリ・プロセスにおける高性能、低コスト、高電力効率のライブラリの提供により、フィジカルIPの技術的優位を強化

http://www.jp.arm.com/pressroom/09/090507.html

2009年5月 1日 (金)

英ARM社、SecurCoreプロセッサのライセンスを(株)東芝に付与

英ARM社・英ARM社、高性能組み込みセキュリティ・アプリケーション向けに設計されたARM Cortex-M3プロセッサ・ベースのARM SecurCore SC300 のライセンスを(株)東芝に付与 。

http://www.jp.arm.com/pressroom/09/090501.html

2009年4月27日 (月)

NECエレクトロニクスとルネサス テクノロジが事業統合

NECエレクトロニクス株式会社、株式会社ルネサス テクノロジ、日本電気株式会社、株式会社日立製作所、三菱電機株式会社

NECエレクトロニクス株式会社、株式会社ルネサス テクノロジ、日本電気株式会社、株式会社日立製作所、三菱電機株式会社の5社は、NECエレクトロニクスとルネサスの事業を統合する方向で、今後、統合条件に関する協議を開始することに合意した。

http://www.necel.com/news/ja/archive/0904/2701.html

2009年4月24日 (金)

半導体事業拠点の稼動調整実施予定を発表

株式会社東芝

株式会社東芝は、半導体事業の主要拠点等においては2月から一部帰休を実施して稼動調整を行っているが、2009年度第一四半期についても、対象人員約19,200人(同社グループ)、平均日数約6.8日で、稼動調整を継続することを発表した。

http://www.toshiba.co.jp/about/press/2009_04/pr_j2401.htm

高速タイプの32GB SDHCカードとスタンダードタイプの16GB SDHCカードを同時発売

サンディスク株式会社

サンディスク株式会社は、2種類の大容量SDHC製品、高速タイプのサンディスクUltra(R)II SDHC 32GBとスタンダードタイプのSDHC 16GBの発売を開始した。

http://www.sandisk.co.jp/Corporate/PressRoom/PressReleases/PressRelease.aspx?ID=4332

インフィニオンとノキア、EDGE技術で提携

独インフィニオンテクノロジーズ

独インフィニオンテクノロジーズは、フィンランド・ノキアとの提携を発表した。インフィニオンのソリューションをノキアが活用することで、低価格のモバイル機器が実現し、インターネットへの容易なアクセスが可能となる。

http://www.infineon.com/cms/jp/corporate/press/news/releases/2009/INFXX200904-050.html

2009年4月23日 (木)

32nmおよび28nm半導体向けフォトマスクの製造プロセスを構築

凸版印刷株式会社

凸版印刷株式会社は、2009年4月、朝霞フォトマスク工場(埼玉県新座市)内に、IBMとの共同開発により確立した新たなフォトマスク製造プロセスを構築したと発表した。

http://www.toppan.co.jp/news/newsrelease898.html

2009年4月21日 (火)

アシストテクノロジーズが東京地裁に会社更生手続開始を申し立て

アシストテクノロジーズジャパン株式会社

アシストテクノロジーズジャパン株式会社及びアシストテクノロジーズジャパンホールディングス株式会社は、平成21年4月20日開催の取締役会において、会社更生法に基づく会社更生手続開始の申立てを行うことを決議し、東京地方裁判所に会社更生手続開始の申立てを行ったと発表した。

http://www.asyst.co.jp/news/news_090420.html

2009年4月20日 (月)

市場拡大に向けてMEMS分野で国際標準を獲得

独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構

独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は、MEMS(微小電気機械システム)製品の評価法として、各種薄膜材料の疲労試験方法が、日本主導でIEC(国際電気標準会議)の国際標準を獲得したと発表した。

https://app3.infoc.nedo.go.jp/informations/koubo/press/EP/nedopress.2009-04-20.6564897313/

2009年4月17日 (金)

携帯電話向けLSIのシミュレーション環境を開発

株式会社富士通研究所

株式会社富士通研究所は、富士通株式会社と共同で、携帯電話向けLSIにおいてSymbian OSで動作するソフトウエアを用いたシステムの性能を、設計段階で、短時間で繰り返し高精度な評価が可能なシミュレーション環境の開発に成功した。

http://pr.fujitsu.com/jp/news/2009/04/14-1.html

2009年4月10日 (金)

【インタビュー】アナログLSI化技術に強み

─ LSI設計受託から将来はファブレスメーカーを目指す ─
株式会社ブルックマン・ラボ
浜松地域知的クラスター創成事業の成果から派生し今年2月に設立した大学発ベンチャー企業。アナログデジタル混成LSIの技術に強み持つ株式会社ブルックマン・ラボの代表取締役社長 松山 武氏、取締役 工学博士 川人 祥二 氏に同社の技術と企業展開を聞く。

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