65nm XS版1GビットDDR3 SDRAMの開発完了
～ArFドライ露光装置で50nmプロセス（ArF液浸）同等のコスト競争力を実現～
エルピーダメモリ株式会社
エルピーダメモリ株式会社は、このたび、50nmプロセスと同等レベルのコスト競争力を達成した65nm XS（エクストラシュリンク）版の1GビットDDR3 SDRAMの開発を完了した。
同社は昨年から続くDRAM不況を背景に、微細化推進と投資抑制型の2本立て
の研究開発を行ってきた。具体的には、50nm、40nmといった先端プロセスの導入による微細化と並行し、既存のArFドライ露光装置を徹底的に活用するシュリンク版の開発を進めてきた。この研究開発の成果として、昨年に65nm S（シュリンク）版を開発したのに加え、このたび65nm XS版の開発を完了した。
この65nm XS版は65nm S版からさらにチップサイズが縮小するため、300mmウエハ1枚あたりのチップ取得数はS 版に較べ、25％増加する。チップサイズを極限まで小さくしたことに加え、製造工程の削減や既存のArFドライ露光装置の活用により装置コストを大幅抑制した結果、50nmプロセス製品と同等レベルのチップコストを実現している。
この65nm XS版の1GビットDDR3 SDRAMはPC、サーバ市場をターゲットに2010年第1四半期より量産を開始する計画。